對于電壓型驅動器件的 IGBT 而言，主要的驅動參數(shù)包括驅動電壓、驅動電路輸出功率、柵極電阻、柵極至發(fā)射極電容和柵極回路電感等參數(shù)。本文主要是探討這些參數(shù)如何影響IGBT開關性能，由此選擇出合適的驅動參數(shù)，從而優(yōu)化IGBT開關性能。如今，IGBT 已被廣泛應用于工業(yè)電源領域。與 MOSFET 相同，它也是一種壓控型器件。其開關性能可通過 IGBT 驅動設置加以控制或影響。優(yōu)化 IGBT 開關性能對于系統(tǒng)設計而言十分重要，因為不同的開關損耗會影響散熱設計和IGBT 使用壽命，而且如果驅動參數(shù)配置的不好會導致IGBT 超過安全工作限值，使器件失效。
IGBT 的柵極驅動電路看似很簡單，就是一個電壓源和一個柵極電阻。通過改變柵極電阻值，可以影響 IGBT 開關性能。但在現(xiàn)實系統(tǒng)應用中，會有許多雜散因素有意或無意地產(chǎn)生，比如電壓支撐電容到功率放大電路之間的雜散電感（Lb）、柵極線纜電感（Lc）、芯片至輔助發(fā)射極的雜散電感（Le）和外置柵極電容（Cge）等等，就如圖 1 所示的那樣。所以實際的 IGBT 柵極回路非常復雜，僅利用一個簡單的電壓源及柵極電阻是無法完全說明驅動參數(shù)對IGBT開關性能的影響的。
詳細內(nèi)容請查看附件
嗶哥嗶特商務網(wǎng)旗下：
