2024年，“低空經(jīng)濟(jì)”首次被寫(xiě)入政府工作報(bào)告，標(biāo)志著這一新興產(chǎn)業(yè)正式上升為國(guó)家戰(zhàn)略。根據(jù)預(yù)測(cè)，2024年中國(guó)低空經(jīng)濟(jì)市場(chǎng)規(guī)模將突破6700億元，2025年有望達(dá)到1.5萬(wàn)億元，到2030年甚至有機(jī)會(huì)邁向3萬(wàn)億元大關(guān)。作為低空經(jīng)濟(jì)的核心載體，無(wú)人機(jī)產(chǎn)業(yè)正迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)。而在無(wú)人機(jī)性能進(jìn)階的背后，功率半導(dǎo)體尤其是功率MOSFET，發(fā)揮著不可替代的作用——它直接決定了整機(jī)的功率轉(zhuǎn)換效率、溫升控制、抗干擾能力與飛行穩(wěn)定性，堪稱(chēng)無(wú)人機(jī)的“能量心臟”。

在這場(chǎng)半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)深度融合的浪潮中，一家扎根于深圳南山智園的創(chuàng)新企業(yè)——深圳安森德半導(dǎo)體有限公司(ASDsemi)，以其在功率MOSFET領(lǐng)域的深厚技術(shù)積淀與精準(zhǔn)戰(zhàn)略卡位，脫穎而出。

一、 破局與聚焦：從“被卡脖子”到深耕無(wú)人機(jī)功率MOSFET賽道

2017年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)波瀾驟起，技術(shù)限制的陰影籠罩在中國(guó)科技產(chǎn)業(yè)的上空。美國(guó)對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體的技術(shù)限制，使得國(guó)內(nèi)陷入了“缺芯潮”，對(duì)中國(guó)的汽車(chē)產(chǎn)業(yè)造成了巨大的影響。

2017年我國(guó)汽車(chē)整體產(chǎn)量達(dá)到2901萬(wàn)輛，同比增長(zhǎng)3.1%。但受到“缺芯潮”的影響，2018年我國(guó)汽車(chē)整體產(chǎn)量出現(xiàn)了4.3%的下滑，僅有2782萬(wàn)輛。這一數(shù)據(jù)在2019年進(jìn)一步下滑到了2567萬(wàn)輛，直到2021年才有所改善。

“那段時(shí)間，我們切身感受到了什么是‘被卡脖子’。”當(dāng)被問(wèn)到為何選擇創(chuàng)立安森德半導(dǎo)體時(shí)，趙江峰總經(jīng)理回憶道。

這位在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域深耕二十余年、歷經(jīng)工程師到研發(fā)、FAE再到市場(chǎng)管理崗位的“老兵”，與幾位擁有同樣堅(jiān)實(shí)半導(dǎo)體技術(shù)背景的合伙人，在危機(jī)中看到了機(jī)遇。

“我們有技術(shù)、有市場(chǎng)、有經(jīng)驗(yàn)，為什么不能自己做國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體?”趙江峰正是這份源于技術(shù)自信與產(chǎn)業(yè)擔(dān)當(dāng)?shù)某跣模屗麄冊(cè)?018年毅然創(chuàng)立了安森德半導(dǎo)體，走上了一條以自主創(chuàng)新為核心的國(guó)產(chǎn)替代之路。

“2018年公司剛成立時(shí)，我們幾個(gè)創(chuàng)始人在深圳一個(gè)大排檔吃飯，聊公司戰(zhàn)略，從0開(kāi)始憧憬未來(lái)5年、10年、20年的發(fā)展。大家從技術(shù)路線談到市場(chǎng)定位，從產(chǎn)品規(guī)劃談到人才建設(shè)，越聊越深入，最后都喝醉了，但那種心往一處使、有使命感的感覺(jué)讓我至今難忘。”趙江峰總經(jīng)理回憶說(shuō)。

那一夜的暢談，成為安森德半導(dǎo)體成長(zhǎng)道路上最初的精神火種。

成立七年來(lái)，安森德半導(dǎo)體構(gòu)建了覆蓋功率器件、電源管理芯片和系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)的三大產(chǎn)品線，應(yīng)用觸角延伸至工業(yè)控制、汽車(chē)電子、新能源等多個(gè)領(lǐng)域。

在面對(duì)低空經(jīng)濟(jì)這一歷史性機(jī)遇時(shí)，安森德半導(dǎo)體展現(xiàn)出高度的戰(zhàn)略聚焦——深度深耕無(wú)人機(jī)功率MOSFET這一核心細(xì)分賽道。

在談到為何選擇深耕無(wú)人機(jī)MOS這一細(xì)分賽道時(shí)，趙江峰總經(jīng)理表示這與安森德“為中國(guó)造芯“的初心息息相關(guān)。

趙江峰總經(jīng)理與幾位聯(lián)合創(chuàng)始人，不愿意讓曾經(jīng)中國(guó)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)因芯片受制于美國(guó)所造成的“悲劇“，在低空經(jīng)濟(jì)無(wú)人機(jī)這一關(guān)乎我國(guó)未來(lái)發(fā)展的關(guān)鍵領(lǐng)域重演。因此，安森德半導(dǎo)體在對(duì)市場(chǎng)趨勢(shì)深刻把握以及有了深厚的半導(dǎo)體技術(shù)底蘊(yùn)后選擇了深耕無(wú)人機(jī)功率MOSFET這條賽道。

“前幾天美團(tuán)發(fā)布了24小時(shí)無(wú)人機(jī)送餐的消息，這不僅是商業(yè)模式的創(chuàng)新，更是國(guó)家大力發(fā)展低空經(jīng)濟(jì)的明確信號(hào)。”趙江峰總經(jīng)理分析道，“未來(lái)20-30年，無(wú)人機(jī)與人工智能、智能感知技術(shù)深度融合，將在物流、消費(fèi)、工業(yè)乃至特種領(lǐng)域釋放巨大潛力。”

這無(wú)疑對(duì)無(wú)人機(jī)的續(xù)航能力、載重性能、抗干擾性和運(yùn)行可靠性提出了前所未有的高要求。

這些新要求，最終都精準(zhǔn)地傳遞到無(wú)人機(jī)的‘心臟’——功率MOSFET上。趙江峰總經(jīng)理將無(wú)人機(jī)對(duì)功率器件的需求概括為四個(gè)核心維度：功率密度、開(kāi)關(guān)速度、散熱性能與系統(tǒng)可靠性。

而這四大維度，恰恰成為了安森德半導(dǎo)體技術(shù)攻堅(jiān)的靶心。

二、 技術(shù)底蘊(yùn)：以功率MOSFET鍛造無(wú)人機(jī)飛控的“超效能量心臟”

基于對(duì)無(wú)人機(jī)行業(yè)痛點(diǎn)的深刻理解，安森德半導(dǎo)體集中研發(fā)資源，推出了專(zhuān)為無(wú)人機(jī)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)打造的高性能MOSFET系列產(chǎn)品。其中，ASDM40R009NQ型號(hào)便是其技術(shù)實(shí)力的集中體現(xiàn)，其在多項(xiàng)關(guān)鍵性能參數(shù)上實(shí)現(xiàn)了對(duì)國(guó)際一線半導(dǎo)體競(jìng)品的超越。

續(xù)航里程是無(wú)人機(jī)的生命線，而提升續(xù)航的關(guān)鍵在于降低能量損耗。功率MOSFET的導(dǎo)通電阻(RDS(on)) 是決定能量損耗的核心參數(shù)，其數(shù)值越低，電流通過(guò)時(shí)的發(fā)熱和能量浪費(fèi)就越少。

安森德半導(dǎo)體的ASDM40R009NQ在此項(xiàng)性能上做到了極致：在標(biāo)準(zhǔn)10V驅(qū)動(dòng)電壓下，其導(dǎo)通電阻僅為1.2 mΩ。尤為關(guān)鍵的是，在4.5V的低柵極電壓條件下，它依然能保持1.5 mΩ的超低阻值。

這意味著什么? 讓我們與全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體行業(yè)巨頭進(jìn)行對(duì)比：某半導(dǎo)體行業(yè)巨頭同類(lèi)MOS產(chǎn)品在4.5V時(shí)，RDS(on)會(huì)升至1.8~2.0 mΩ。另一款行業(yè)巨頭同類(lèi)MOS產(chǎn)品，此項(xiàng)數(shù)值約為1.7 mΩ。

這表明，在無(wú)人機(jī)典型的40–60A工作電流下，安森德半導(dǎo)體功率MOSFET相較于這些競(jìng)品，能夠降低導(dǎo)通損耗高達(dá)20%–30%。

反映在無(wú)人機(jī)飛行中，這意味著在同等電池容量下，溫升顯著降低，續(xù)航時(shí)間得以有效延長(zhǎng)。例如，在40A持續(xù)電流下，安森德器件功耗約為1.76W，而典型競(jìng)品則超過(guò)2.4W，在高頻PWM控制模式下，這一能效優(yōu)勢(shì)將進(jìn)一步放大。

無(wú)人機(jī)的飛行穩(wěn)定性，尤其是其在復(fù)雜氣流中的快速姿態(tài)調(diào)整能力，極度依賴(lài)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的響應(yīng)速度。而MOSFET的開(kāi)關(guān)特性，特別是柵極總電荷(Qg)，直接決定了其開(kāi)啟與關(guān)斷的速度。

ASDM40R009NQ通過(guò)先進(jìn)的溝槽設(shè)計(jì)和工藝優(yōu)化，在低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷之間取得了絕佳平衡：其總柵極電荷(Qg)被控制在45 nC(典型值) 的優(yōu)異水平。

相比之下，某半導(dǎo)體行業(yè)巨頭同類(lèi)產(chǎn)品的Qg在50-55 nC之間，另一半導(dǎo)體行業(yè)巨頭的同類(lèi)產(chǎn)品也在47-52 nC的區(qū)間。

更低的總柵極電荷帶來(lái)三大直接優(yōu)勢(shì)：

降低驅(qū)動(dòng)損耗：使無(wú)人機(jī)的電調(diào)(ESC)主控芯片負(fù)擔(dān)更輕，系統(tǒng)整體能效更高。

減小開(kāi)關(guān)延遲：讓電機(jī)響應(yīng)控制指令的速度更快，無(wú)人機(jī)飛行姿態(tài)更穩(wěn)定，尤其在應(yīng)對(duì)突風(fēng)等復(fù)雜情況時(shí)表現(xiàn)更佳。

優(yōu)化EMI表現(xiàn)：更快的開(kāi)關(guān)邊緣可以減少電磁干擾，提升整機(jī)通信質(zhì)量與飛行安全性。

而隨著無(wú)人機(jī)載重和功能需求的增加，其動(dòng)力系統(tǒng)正向著高功率密度方向發(fā)展，這意味著更小的體積需要輸出更大的功率。

此時(shí)，功率MOSFET的散熱能力成為瓶頸。安森德半導(dǎo)體ASDM40R009NQ采用了先進(jìn)的DFN5×6-8封裝，該封裝具有極低的熱阻和優(yōu)異的散熱性能。

這款功率MOSFET產(chǎn)品的熱阻(RθJC)僅為1.1°C/W。這一數(shù)據(jù)優(yōu)于某半導(dǎo)體行業(yè)巨頭(約1.3°C/W)和另一行業(yè)巨頭(約1.2°C/W)的同類(lèi)封裝產(chǎn)品。

熱阻每降低0.1°C/W，都意味著在相同功耗下，芯片核心結(jié)溫的顯著下降。安森德器件實(shí)現(xiàn)的約10%的熱阻優(yōu)化，直接轉(zhuǎn)化為在持續(xù)大電流工作時(shí)結(jié)溫上升降低約10%。

這不僅提升了系統(tǒng)的長(zhǎng)期可靠性，還允許設(shè)計(jì)師采用更緊湊的布局，或讓無(wú)人機(jī)在高溫環(huán)境下依然保持強(qiáng)勁動(dòng)力輸出，從而真正實(shí)現(xiàn)高功率密度與輕量化設(shè)計(jì)。

此外，無(wú)人機(jī)在飛行中可能遭遇電機(jī)堵轉(zhuǎn)、突然加減速帶來(lái)的反電動(dòng)勢(shì)沖擊等極端工況，這對(duì)功率器件的堅(jiān)固性與可靠性提出了嚴(yán)苛挑戰(zhàn)。

單脈沖雪崩能量(EAS) 是衡量MOSFET承受瞬時(shí)過(guò)壓沖擊能力的關(guān)鍵指標(biāo)。

在這一可靠性“試金石”上，安森德半導(dǎo)體ASDM40R009NQ產(chǎn)品展現(xiàn)出了強(qiáng)大實(shí)力——具備240 mJ的高單脈沖雪崩能量。

相比之下，某半導(dǎo)體行業(yè)巨頭同類(lèi)產(chǎn)品的EAS范圍為150-180 mJ，另一半導(dǎo)體行業(yè)巨頭的產(chǎn)品約為200 mJ。

同時(shí)，這款功率MOSFET產(chǎn)品還支持高達(dá)800A的脈沖電流耐受能力。這意味著，即使在最?lèi)毫拥碾姎鉀_擊下，安森德的MOSFET也能為無(wú)人機(jī)動(dòng)力系統(tǒng)構(gòu)建起一道堅(jiān)固的防線，極大提升了在物流配送、應(yīng)急救援等關(guān)鍵任務(wù)中的系統(tǒng)可靠性。

三、 體系化支撐：安森德深耕無(wú)人機(jī)MOSFET賽道的底氣何來(lái)

一款明星產(chǎn)品的背后，是整個(gè)公司的體系化能力作為支撐。安森德之所以能在無(wú)人機(jī)功率賽道快速突破，源于其構(gòu)建的從研發(fā)、生產(chǎn)到市場(chǎng)應(yīng)用的完整生態(tài)體系。

安森德?lián)碛幸恢Ъs30余人的核心研發(fā)團(tuán)隊(duì)，其中本科以上學(xué)歷占比高達(dá)80%，團(tuán)隊(duì)成員平均擁有超過(guò)10年的半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)驗(yàn)。這種高素質(zhì)、經(jīng)驗(yàn)豐富的團(tuán)隊(duì)配置，是公司持續(xù)進(jìn)行技術(shù)迭代與創(chuàng)新的基石。

截至目前，安森德已累計(jì)獲得授權(quán)專(zhuān)利60余項(xiàng)，覆蓋了器件結(jié)構(gòu)、工藝方法、電路設(shè)計(jì)和封裝技術(shù)等功率半導(dǎo)體核心技術(shù)領(lǐng)域。強(qiáng)大的知識(shí)產(chǎn)權(quán)布局不僅構(gòu)成了技術(shù)護(hù)城河，也為其產(chǎn)品的高性能和可靠性提供了法律保障。

先后獲得 “國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)”、“深圳市專(zhuān)精特新企業(yè)” 等權(quán)威資質(zhì)認(rèn)證，是其技術(shù)實(shí)力與產(chǎn)品質(zhì)量獲得社會(huì)認(rèn)可的有力證明。

在供應(yīng)鏈層面，安森德與韓國(guó)東部(DB HiTek)、上海積塔、力積電、粵芯半導(dǎo)體等國(guó)內(nèi)外知名晶圓廠，以及通富微電、華天科技、風(fēng)華芯電、杰群電子等封測(cè)廠建立了深度合作關(guān)系。

這種多元、穩(wěn)固的供應(yīng)鏈網(wǎng)絡(luò)，賦予了安森德半導(dǎo)體靈活的產(chǎn)能調(diào)度能力和強(qiáng)大的質(zhì)量保障體系，為其產(chǎn)品的大規(guī)模、高質(zhì)量、快速交付奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

四、 應(yīng)用與演進(jìn)：面向未來(lái)布局MOSFET新技術(shù)

憑借過(guò)硬的產(chǎn)品性能和完善的體系支撐，安森德正在無(wú)人機(jī)市場(chǎng)穩(wěn)步推進(jìn)。

在消費(fèi)級(jí)無(wú)人機(jī)領(lǐng)域，其MOSFET產(chǎn)品憑借高性?xún)r(jià)比和輕量化優(yōu)勢(shì)，已實(shí)現(xiàn)批量出貨。

在工業(yè)級(jí)無(wú)人機(jī)領(lǐng)域，安森德正與多家頭部廠商開(kāi)展產(chǎn)品驗(yàn)證與聯(lián)合開(kāi)發(fā)，重點(diǎn)針對(duì)高溫、高振動(dòng)等嚴(yán)苛工業(yè)環(huán)境，優(yōu)化產(chǎn)品的穩(wěn)定性和壽命。

在物流級(jí)無(wú)人機(jī)領(lǐng)域，面對(duì)更高電壓平臺(tái)和更長(zhǎng)航時(shí)的需求，安森德已前瞻性地布局了碳化硅(SiC)MOSFET和氮化鎵(GaN)半橋模塊等第三代半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)。

“碳化硅和氮化鎵是未來(lái)。”趙江峰總經(jīng)理展望道，“它們的高頻、低損耗特性，在物流無(wú)人機(jī)、載人無(wú)人機(jī)或頂級(jí)競(jìng)速無(wú)人機(jī)中，可以實(shí)現(xiàn)高效率。我們已經(jīng)在研發(fā)規(guī)劃中，計(jì)劃將這些新材料引入物流無(wú)人機(jī)領(lǐng)域。”

與此同時(shí)，安森德在封裝技術(shù)上也持續(xù)進(jìn)階，已在其他無(wú)人機(jī)MOS產(chǎn)品中導(dǎo)入雙面散熱和CLIP等更先進(jìn)的封裝工藝，相較于主流DFN和TO封裝，能進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的輕量化，并帶來(lái)更優(yōu)的散熱性能與續(xù)航表現(xiàn)，為下一代高端無(wú)人機(jī)做好技術(shù)儲(chǔ)備。

當(dāng)被問(wèn)到安森德半導(dǎo)體希望與哪些合作伙伴關(guān)系推動(dòng)產(chǎn)品進(jìn)入更多實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景時(shí)，趙江峰總經(jīng)理說(shuō)：“我們希望與像大比特這樣的專(zhuān)業(yè)媒體，無(wú)人機(jī)頭部廠商以及主控方案公司深度合作，將安森德半導(dǎo)體的產(chǎn)品推向更廣的市場(chǎng)。

回顧安森德半導(dǎo)體七年的發(fā)展歷程，正是一條清晰的國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體進(jìn)階之路：從2018年進(jìn)入主流ODM體系，到2020年MOSFET出貨突破5000萬(wàn)只，再到2022年出貨量突破1億只，并逐步推出高壓DC-DC、SiC MOSFET、IPM模塊等高端產(chǎn)品。每一步，都走得扎實(shí)而堅(jiān)定。

五、 結(jié)語(yǔ)：國(guó)產(chǎn)MOSFET領(lǐng)飛低空鑄就中國(guó)“芯”未來(lái)

低空經(jīng)濟(jì)的大門(mén)已然敞開(kāi)，無(wú)人機(jī)的天空正在變得愈發(fā)擁擠。在這場(chǎng)關(guān)乎效率、安全與成本的競(jìng)爭(zhēng)中，動(dòng)力系統(tǒng)的優(yōu)劣將成為決定勝負(fù)的關(guān)鍵手。

安森德半導(dǎo)體以其對(duì)無(wú)人機(jī)應(yīng)用場(chǎng)景的深刻理解、對(duì)功率MOSFET技術(shù)的持續(xù)深耕以及對(duì)第三代半導(dǎo)體的前瞻布局，成功在國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體版圖中刻下了自己的名字。

從2018年那個(gè)充滿理想與使命感的夜晚，到如今成為低空經(jīng)濟(jì)浪潮中一股不可忽視的“中國(guó)芯”力量，安森德半導(dǎo)體的初心未曾改變——“打造最強(qiáng)中國(guó)芯，賦能全球智造業(yè)”。

“未來(lái)3—5年，我們將繼續(xù)遵循公司的戰(zhàn)略目標(biāo)，結(jié)合我們的優(yōu)勢(shì)，按照消費(fèi)、工業(yè)和車(chē)規(guī)級(jí)路線打磨產(chǎn)品。我們不僅提供功率器件，還將提供電源管理芯片，全方位解決客戶(hù)痛點(diǎn)，以客戶(hù)為中心，實(shí)現(xiàn)互信雙贏，著力打造安森德品牌。”展望安森德未來(lái)3-5年的發(fā)展規(guī)劃時(shí)趙江峰總經(jīng)理說(shuō)道。

隨著低空經(jīng)濟(jì)的浪潮愈加洶涌，安森德半導(dǎo)體將繼續(xù)以其高效、可靠的功率MOSFET解決方案，為每一架翱翔的無(wú)人機(jī)注入更強(qiáng)勁、更智能的動(dòng)力。讓世界看見(jiàn)，中國(guó)芯片，不僅能飛，更能領(lǐng)飛!